混合直流断路器可行性研究

发布日期:2020-11-3 22:03:29 浏览次数:800

    随着分布式发电的增加,直流电网成为电力专业领域的热门话题。在建立直流系统时必须面对各种挑战,如电网协议、多种高效率变流器、断路器和保护系统的开发。在这样的背景下,就必须开发新的断路器来建立不同电压等级的直流电网。断路器必须达到不同的技术要求。直流开关设备必须能安全地开断电路,并且在短时间内能承受一定的短路电流。而且,这些设备必须设计得体积越小、重量越轻越好,且其通态损耗极小。
            机械式直流开关可承受大电流且其损耗较小。然而,为了安全地开断直流电路,在这些设备上就必须设计安装复杂的灭弧室。在开断过程中,触头间形成电弧。在交流系统中,电流过零时电弧熄灭。然而,在直流系统中,没有自然过零点,因此断路器在设计中必须考虑其能将电流强制为零。有必要通过提高电弧电压使其高于电源电压,这样可使电流强制变为零。不同影响电弧的开关结构都可实现此功能,这些灭弧的部件通常需要额外的空间,这样就增加了断路器的重量和体积[1,2]。
            半导体器件可用来操作直流电路。它们能够开断直流电流,且不产生电弧。另外,它们是免维护的。然而,半导体器件通常会产生相对高的导通损耗,因此需要附加大型的冷却设备。另外,它们的过载度较低,且易受过电压的影响,不能确保电的隔离[1,3,4]。
            机械开关和电力半导体结合的开关显示出很大的优势。这种情况下,此断路器称为混合型断路器。
            为了此次可行性研究,开发出了采用商业化的断路器和两种不同的由电力半导体器件和控制器件构成的电力电子电路混合型开关。为了评估其开断特性,在实验室里检测了两种方案。试验电压为475V的直流电路的时间常数变化范围是0-3ms,试验电流的范围是10-250A。选择这些值主要是为了评估子电路的特性。

    1混合型开关

            一个混合型开关大多由两个机械触头和一个具有过电压保护功能(OVP)功率半导体元件组成。两种设计形式如图1所示。
    当混合型开关导通时,电流通过机械开关导通。在断开状态时,它们确保电流隔离。功率半导体元件Q只有在开关导通或断开的切换状态时才导通。在1.1和1.2[3-5]这两部分对该过程进行了简略的解释。

    1.1导通

            在合闸过程的初期,开关S1处于闭合状态且无电流。随后,功率半导体器件开通,开始有电流流过。然后,将开关SH闭合。开关SH一旦闭合,功率半导体器件Q将断开。

    1.2关断

            在开关关断过程中,功率半导体器件Q首先导通,然后将开关SH打开,这时在机械开关触头间形成电弧。由于该电弧电压高于半导体器件的饱和电压,此时电流将改变其流向即换流。功率半导体器件一直导通电流直到开关SH的触头无法进行二次放电起弧。过一段时间后,功率半导体器件将关断。过电压保护限制此关断的过电压限值。最后,开关SH关断且无电流[1,,6,7]。


            由于功率半导体器件的快速开断特性,在回路中存在感性负载的情况下,开关关断时会产生过电压。为了避免功率半导体器件损坏,需限制过电压。可以通过有源钳位和动态门极控制来实现对半导体器件的控制。半导体器件自身就可以限制电压并吸收存储的能量。可以利用一些无源器件如电阻、电容、变阻器等。电压的极限值取决于其操作点。因此,无源元件应该按照其在最严酷的状态下进行规定[8,,9]。
            最常用的半导体器件是 MOSFET、IGBT、GTO和晶闸管。每一种半导体器件具有其电压、电流、频率特性区域。在混合型断路器的应用中,IGBT半导体器件是最适合的,它由电压驱动,需要的能量较小。而且,它具有承受高电压大电流的特性。另外,它具有短路电流保护和在其热容量的范围内过载运行的特性[10,11]。

    2混合型直流断路器的结构

    为了实现断路器的混合运行,IGBT应在机械式断路器开断的同时进行动作。混合式断路器包含5个功能块,各块之间的相互作用如图2所示。


            当利用机械开关SH切断电流后,在触头间会产生电弧。随着触头分离间距增加,电弧电压也持续增加。电弧电压值足以使电源单元(PSU) 对内电容进行充电,当充电电压达到一定的值时会安全地触发电力电子(PE)器件动作。因此充电时间是由机械开关SH触头分离的速度和期望电容电压共同决定的。由于电力电子器件的操作时间较短,电容的容量应较小,一般在几微法的范围内。运行中的功率损耗值和可接受的充电电压降是确定的。
            充电电压一旦达到某一等级,控制单元(CU)就会触发启动电力电子器件,它使开关SH短路,因此可熄灭电弧。电力电子器件需持续一定的时间以保证触头之间的间隙达到足够的耐电强度。接着,控制单元将电力电子器件关断。电力电子器件中电流的持续时间取决于机械开关的特性和开关关断过电压的极限值。因此,最短时间是由每个单独的开关SH决定的。这部分将继续深入研究。
            过电压保护单元有两个功能。首先,它可以把开关关断时的过电压限制在低于******阻断电压的范围内,其次,它可以吸收电感存储的能量。变阻器也是适合于该项任务的一部分器件。应用各个制造商提供的电压电流特性图表可以进行器件选型。限制条件是在电力电子器件******阻断电压时流过它的******电流值。
            在整个开断过程中,监视单元(MUD)均对IGBT进行监视。如检测到一个不能耐受的大电流值时,MU将对控制单元(CU)发出信号,CU将关闭PE以避兔损坏。由于在开断过程中IGBT的运行时间极短,所以其无需冷却。因此,可以应用压缩式TO-247中分立式半导体器件。另外,电力电子开关路径是用双向设置的,所以也可以开断交流电流。

    3试验设置

    对混合型开关的开断能力进行了试验。为了记录在开关关断时的电气参数,试验电路的设置如图3所示。


            电压源是基于晶闸管的三相桥式整流器,整流器与可调变压器相连。基于电阻值R和电感值L,可以调整试验电流和时间常量。在整个测试中空载电压的有效值是475V。


    表1 ??8345-C13A-U3M1-DB1B1B的许可信息

    权威机构

    标准

    额定电压

    额定电流

    VDE

    IEC/EN 60934

    AC 240/415V AC 240V DC 80V

    0.016A…80A ?0.016A…80A ?0.02A…125A

    UL

    UL 1077 C22.2 NO.235

    AC 277/480V AC 277V DC 80V

    0.02A…70A ?0.02A…70A ?0.02A…125A

            混合式开关包含一个商用的机械三极断路器8345-C13A-U3M1-DB1B1B(来自ETA公司)和一个电力电子电路。机械开关的核定信息在表1中列出。
            开关的额定电流是125A,选择了适中的时间/电流特性(M1)。所有3个开关触头都是串联。电力电子电路(虚线部分)与其中的一个断路器触头并联。
            图2中的一些功能块在图3中进行了拆分。PSU、MU和CU并入了控制模块,OVP包含了一个变阻器,PE包含了一个桥式整流器和一个IGBT。研究的电力电子器件在结构上都各不相同。图3显示了控制电压和IGBT的负载电流的测量点。
            试验开始时,机械开关处于闭合状态,试验电压接通。当电路达到稳态,机械开关打开,并被数字控制系统触发。所有的测量值在表2中列出。
    下列的方程式是用来计算流过变阻器的电流值:
    I??Var=?I??HE-?I??IGBT.
    研究了两种不同的电力电子电路的开断能力。 ???

    表2 记录的测量信号

    描述

    信号

    试验电压

    U

    电力电子电路和机械开关并联端电压

    U_HE

    机械开关中所有3个开关行程两端的电压

    U_MS

    IGBT门—发射极电压(控制电压)

    U_GE

    试验电流

    I

    电力电子电路的电流

    I_HE

    电力半导体(IGBT)电流

    I_IGBT

            电力电子电路A应用了运算放大器来产生所有需要的控制信号。由于转换率的限制和门极驱动的高输出电阻,为了避免震荡的发生,只能实现慢速的开断速率。为了实现双极运行,采用整流器来实现两个并联IGBT的电流方向在外部极性无论是何种情况时都能保持一致。
            在电力电子电路B中用分立式器件如晶体管、电阻器、二极管来产生陡波信号。另外,采用具有低输出电阻的门极驱动来实现IGBT******的开关速率。这些研究的目的是******限度减小半导体器件的开关损耗,以最终达到******限度增加开关容量的目标。用一个很小的整流器为电力电子电路供电,PE包含了两个非并联的IGBT。要尽量减少功率半导体的数量,但仍要保证双极运行。因此,只有IGBT可以阻断电流。
    混合开关的开断过程和电力电子器件一些重要的结论将在下文进行讨论。
    完成开断过程中的参数在表3中列出。


    表3 开断能力的详细参数

    U(V)

    T(ms)

    I(A)

    10

    30

    100

    150

    200

    250

    475

    0

    475

    1

    475

    2

    ×

    475

    3

    ×

            当试验电流达到200A时,混合式直流断路器能够开断成功。当电流升至250A时,电力电子电路将自动切除以避免IGBT发生过载。此时,机械开关将单独开断电路。对于更高的时间常数而言,机械开关不具备开断电路的能力。
    对于每一种试验方案,需要进行10次测试,取平均值x后计算标准偏差值。目前还没有测试电介质的耐受能力和基本绝缘水平。这些试验将在未来进行。

    4结论和讨论

    4.1电力电子电路A

            电力电子电路A中的功率半导体器件包含两个并联的IGBT;每个额定电流为80A,额定电压为1200V。在试验电流为200A,时间常数为3ms时进行了开断过程的测量。测量结果如图4所示。


            开关断路过程发生在t1时刻,即机械开关触头分离时,并在试验电流变为0的t6时刻结束。在开关操作tSW期间,在两个未安装并联IGBT的开关行程中会产生电弧。混合开关的详细断路过程在图5中示出。该过程可分为3个阶段,在一些案例中这3个阶段在时间上会出现重叠的情况。这些阶段在下文详细叙述。

    1)阶段1一充电过程(t1-t2):在t1时刻,机械开关打开后触头间会形成电弧。结果,3个开关极的电压急剧升高。电力电子电路从电弧中获得了足够的能量。它的电压达到了25V,该电压可实现从电路中的电容器中充电。该过程在t2时刻结束,此时的PE处于打开状态。
    2)阶段2一载流(t2-t5):在t2时刻,电流开始整流成直流并通过IGBT。这个过程在67μs后结束,然后并联开关行程中的电弧熄灭。IGBT中的电流大概能持续1.2ms,这就能使机械开关行程达到足够的介电强度。在t3时刻,IGBT的转换过程才开始。经过55μs,即t5时刻直到电流完全转移到变阻器。
    3)阶段3—过压限制(t3-t6):在t3时刻,IGBT处于关断状态。由于感性负载,电力电子电路中的电压上升,上升至变阻器限制的极限值为止。电流完全转移至变阻器中,变阻器吸收存储的感性能量。电流持续减小并在t6时刻降至零值。在该时刻,其他开关触头中的电弧熄灭。在开关断开和换向过程中(t3—t5),IGBT所承受的压力达到******值,如图6所示。
            在t3时刻,IGBT关断,电力电子电路的电压上升。由于感性负载,电流持续流动直到t4时刻,这时变阻器两端的电压达到使其充分导通的水平,此时电流转移至变阻器。这个过程在t5时刻结束,这时电流全部从变阻器通过。半导体在开关关断过程中的能量损耗如图7所示。
    ?
    在开关关断过程中,半导体器件吸收大约6J的能量而******的功率损耗可达到240kW。

    4.2电力电子电路A的测量结果

    IGBT开通的平均时间为1.3ms,这就保证了机械断路器的转换间隙能达到足够的介电强度。试验电流为200A的开断过程中的过电压值、总燃弧时间、PE的损耗值在表4中列出。

    T
    (ms)

    UHE(peak)(V)

    tSW(ms)

    WPE(J)

    `X

    S

    `X

    S

    `X

    S

    0.10

    530.00

    22.59

    2.14

    0.11

    2.44

    0.22

    1.02

    1558.48

    4.07

    2.42

    0.10

    6.26

    0.29

    2.09

    1586.14

    1.77

    2.62

    0.08

    7.53

    0.20

    3.06

    1598.58

    8.44

    3.00

    7.83

    0.31

     

    在时间常数为1ms的案例中,功率半导体器件******可接受的阻断电压1200V被超过了。
    ?表4开断200A时的总燃弧时间、开断过程中的过电压和吸收能量

            由于变阻器高的响应电压和功率半导体较慢的关断过程,它们将不得不吸收很大的能量。过电压保护包含了一个用来吸收感性能量的变阻器。由于电压值被限定在一定的范围内,伴随着时间常量的增加,燃弧时间将延长。
    试验电流为200A时,开关关断过程中吸收的能量在表5中列出。
            由于只有在混合方案中开关关断时的特性才有意义,所以研究了时间常数短于3ms的案例。对于时间常数达到10ms或更长时,混合开关能够实现对回路较好的开断。该结论是从表5中所显示的结果中得出来的。在时间常数为2ms时,半导体器件在关断过程中吸收的能

    表5试验电流为200A时,PE、变阻器和开关吸收的能量 ??


    T
    (ms)

    WPE(J)

    WVaristor(J)

    Wtotal(J)

    `X

    S

    `X

    S

    `X

    S

    0.10

    2.44

    0.22

    0.00

    0.00

    37.00

    1.16

    1.02

    6.26

    0.29

    17.70

    1.40

    50.03

    2.69

    2.09

    7.53

    0.20

    54.74

    3.44

    104.35

    3.31

    3.06

    7.83

    0.31

    102.72

    2.33

    161.74

    2.64

            量可达到常量。高时间常数对IGBT所吸收的能量几乎没有影响,因为导通损耗只取决于传导电流值,而开断损耗则取决于电流、开断过程速度和过电压的限制值。在时间常数长于2ms时,这些参数几乎对开关损耗没有任何影响。储存的感性能量主要吸收于变阻器中。用在此次研究的接线图中的变阻器可承受800J单向脉冲能量而不会损坏。

    4.3电力电子电路B

            基于所获取的电力电子电路A的结果经验,开发出了电力电子电路B。关注点集中在OVP和IGBT的驱动上。为了吸收感性能量应用了变阻器。
            为了使开关损耗最小化且优化开关容量,开发出了门极驱动。另外,操作的斜率设计得极陡以保证较短的开关时间。与电力电子电路A不同的是,在开关转换中只用了一个额定电流为75A,额定电压为1200V的IGBT。整个电力电子电路的搭建用到了分立式器件。
     
            电力电子电路B中关断过程的结果在图8中示出。为了比较电力电子电路A和B中的结果,选择了相同的参数。电力电子电路B的结果如图9所示,它们分成了如下3个阶段。
    1)阶段1一充电过程(t1-t2):在该阶段,电容器的充电过程与电力电子电路A中的情况相似。
    2)阶段2一载流(t2-t5):在t2时刻开通功率半导体器件后,9μs内电流开始整流成直流并通过IGBT。IGBT载流持续时间为520μs,并在t3时刻结束。从IGBT到变阻器中的电流转移过程持续不到1μs。由于时间较短,图表中没有标出t4和t5时刻。
    3)阶段3—过压限制(t3-t6):第3阶段的过程与电力电子电路A的情况几乎一样。由于IGBT很陡的动作斜率和变阻器较低的响应电压,电流转移过程所需时间更短。由于变阻器的电压限制值较低,所以所有强迫电流变为零所需的时间更长。
    表6半导体器件的电压值和总燃弧时间


    电子电路I=200A ?T=3ms

    UHE(peak)(V)

    tSW(ms)

    WPE(J)

    `X

    S

    `X

    S

    `X

    S

    A

    1598.58

    8.44

    3.00

    0.04

    7.83

    0.31

    Amod

    702.01

    3.70

    4.03

    0.09

    4.47

    0.27

    B

    734.08

    8.91

    3.66

    0.09

    1.16

    0.07

    表7功率半导体器件、变阻器和整个开关吸收的能量值


    电子电路I=200A ?T=3ms

    WPE(J)

    WVaristor(J)

    Wtotal(J)

    `X

    S

    `X

    S

    `X

    S

    A

    7.83

    0.31

    102.72

    2.33

    161.74

    2.64

    Amod

    4.47

    0.27

    105.30

    2.37

    183.38

    1.45

    B

    1.16

    0.07

    123.94

    3.46

    185.80

    2.68

    `X:平均值
    S:标准差
            因为从IGBT到变阻器中的电流转移过程持续不到1μs,所以无法得到可靠的开关关断损耗的计算式。然而,从最严酷案例推算的结果可得到这样的结论:与载流阶段相比,开关关断期间的能量损耗可以忽略不计。

    4.4两种混合式电力电子电路的比较

            电力电子电路A中的OVP被电力电子电路B中的OVP所取代。改进的电力电子电路A被标为Amod。在试验电流为200A,时间常数为3ms时,研究了电力电子电路Amod的开断能力。结果如表6和表7中所示。不同开关阶段和电流转移过程的时段如表8所示。测量时的采样率为1MS/s。在未来的研究中,对于电力电子电路B中的快速电流转移而言,将用更高的采样率更为精确地测量转移过程。
            基于上述结论,变阻器的上限电压和功率半导体的电流转移时间对能量损耗的影响愈加明显。
            由于电力电子电路Amod中变阻器较低的响应电压,功率半导体器件的电流转移时间及其所吸收的能量都相应减少,结果总开关时间延长。电力电子电路B中IGBT需吸收的最少能量只有1.16J。考虑到功率半导体开关的数量从两个减少至一个,这就更加让人印象深刻。能量减少的原因是开通时间的缩短,开关波形更为陡峭和变阻器更低的响应电压值。
            电力电子电路A和Amod中的变阻器几乎吸收同样的能量,尽管其响应电压和燃弧时间各不相同。这就增加了开关关断时总的能量损耗,除此之外两者储存的感性能量是相同的。在过电压限制阶段电源提供了额外的能量。然而,电力电子电路A和Amod中的变阻器几乎吸收同样的能量。其它的两个开关触头吸收了额外的能量损耗。由于总的操作时间延长,电弧电压会达到一个更高值,因此其吸收的能量也相应增加。
    表8 不同开关阶段喝换流过程持续的的时间(I=200 A,T=3 ms)

    电力电子电路

    ??I=200 A ?T=3 ms

    充电过程

    通流

    过电压限制

    换流过程

    t1-t2(ms)

    t2-t3(ms)

    t3-t6(ms)

    t3-t6(μs)

    A

    `X

    0.78

    1.28

    1.00

    51.50

    ?S

    0.04

    0.00

    0.02

    0.71

    Amod

    `X

    0.80

    1.25

    2.02

    34.10

    ?S

    0.02

    0.00

    0.09

    0.57

    B

    `X

    0.93

    0.52

    2.15

    0.30

    ?S

    0.03

    0.00

    0.05

    0.48

    `X:平均值
    S:标准差
            尽管电力电子电路Amod和B中的OVP相同,但是电力电子电路B中的变阻器将多吸收大约20J的能量。由于电路Amod中IGBT更长时间的导通状态,所以高于维持两台断路器操作路径的电弧电压会达到更高的数值。结果,当IGBT关断时,电子电路Amod中的电流比电子电路B减少得更多。由于电子电路B中的变阻器需迫使更大的电流变为零,所以其吸收的能量和峰值过电压也会增加。
            图9为电路A和B的总门极信号和电流值。
            由于两者的导通状态发生在同一时刻,所以电路B的信号向右偏移200μs。
            由于电力电子电路A中的门极驱动的高阻性输出,所以IGBT门极电压具有明显的稳定状态[10]。这就引起IGBT开关速度变慢,可从电流的变化清晰地观察到这一现象。电路B的门极电压成矩形状,开关过程非常快。

    5混合电力电子器件的过电流保护

            为了避免对IGBT的损坏,混合型电力电子器件会在检测到过电流时自我关断。由于使用的功率半导体器件具有短路保护功能,所以测量负载电流最简单的办法是在开关过程中使半导体器件导通并检测流过IGBT的电流。然而,在发生短路情况下,故障检测和关断的用时不能超过10μs。为了实现它,需有相应快速的检测和驱动环节。

    5.1电力电子电路A

            在时间常数为0ms时,用混合开关开断250A电流的第2阶段的案例在图10中示出。
            在t1时刻,电流开始向半导体器件中转移。由于较低的开关速度,电流完全转移到半导体器件中需大约72μs。这时,并联路径中开关间隙的电弧熄灭。IGBT中电流持续约13μs。在t3时刻,功率半导体器件关断。电力电子两端的电压上升直到并联开关行程两端的触头2次燃弧。

    5.2电力电子电路B

            为了比较电力电子电路A过流保护试验中的结果,用相同的试验参数在电力电子电路B中做了同样的研究。在时间常数为0ms时,用混合开关开断250A电流的第2阶段的案例在图11中示出。
    ?
            在t1时刻,电流开始向IGBT中转移。由于转移电路中的寄生电感,电流完全转移至功率半导体器件需9μs。电力电子器件需要4μs的时间,在t3时刻完成检测并开断过电流。关断过程产生的过电压会在并联开关行程触头间再次激起电弧。

    5.3混合型电力电子电路的比较

            电力电子电路的试验结果如表9所示。
            电力电子电路B中的功率半导体器件吸收的能量和平均导通时间比电力电子电路A中要略小一些。主要原因是IGBT的快速开断速率,这就可实现快速的电流转移。然而,其标准偏离时间会长一些。主要原因如下:
    1)试验电压源是一个三相整流器且没有安装任何滤波电容器。因此,负载电流会有明显的纹波,在只有电感元件的电路中尤为明显。由于机械开关的开断时间略有不同,电力电子电路检测到的电流值也各不相同。因此,电流达到过流保护动作的时间有所不同。
    2)由于负载电路的时间常数为0ms,3个串联开关路径中的电弧对负载电流有很大的影响。因此,电力电子电路所测量的电流值会在很小的范围内变化。
            对于短路而言,IGBT器件可以自动限制其导通的电流。它不会把电流完全转移至半导体器件中,因此并联开关行程两端的电弧也不会熄灭。另外,在导通时电弧会限制功率半导体器件上的电压。所以,半导体器件的损耗可以被限制在远远低于在开关关断感性负载时的值。另外,混合型电力电子器件的导通时间很短,且随着电流增大其值会减小得更多。这就限制了吸收的能量值,使其不会对功率半导体器件造成危害。然而,为了获得关于电力电子电路过流特性的更多信息,需要更大电流和时间常数下的测量值。
            由于电子器件不是被并联机械开关短路就是被两个串联开关行程隔离,因此IGBT不太可能会受到扰动的干扰。该意见由于以下事实而得到支持:在所有测量中都没有发现IGBT的误触发,尽管基于晶闸管的换流器会产生很多干扰,特别是在试验电压源的换流器中换流阀的换流过程中。当使用这些不带有电分离机械开关的混合式电力电子器件时,会出现IGBT的误触发。然而,PSU设计的不是用来持续地连接电源的。

    6结语

            本文介绍了一种新型的混合直流断路器,研发出了两种不同的断路器结构。试验表明,提出的混合型断路器能够在不同的时间常数下开断******200A的电流。在电流为250A时,电力电子电路为了避免对IGBT的损坏会自动闭锁,这时只有机械开关负责开断电路。电子器件无需外部电源,它们会从开关电弧中吸收所需的能量。由于导通状态较短,功率半导体器件无需额外的冷却系统,它们具有过流能力,这就使得混合电子器件可以紧凑排列。OVP的容量计算极为重要,在开关关断过程中它吸收了感性能量且影响了IGBT关断的损耗值。另外,这些损耗值很大程度上会受到IGBT开关速率的影响;因此为了******限度减少开关损耗,应提出半导体快速切换的方法。由于功率半导体过载能力会受到其热容量的限制,需要实现更大的开断容量。对于半导体的快速开断过程,OVP的正确选择至关重要。电压限制器的响应时间应相应较快。为了优化lGBT开断速率和确定过压限制器响应速度,需进行更多的测量。

    参考文献

    [I] A. Erk and M. Schmelzle, Grundlagen der Sclzaltgeratetechnik. Braunschweig, Germany :Springer – Verlag. 1974
    [2] M. Lindmayer, Schaltgerate. Braunschweig, Germany: Springer-Verlag, 1987.
    [3]A. M. S. Atmadji and J. G. J. Sloot. "Hybrid switching: A review of current literature." in Proc. Int. Conf. Energy Manage. ?Power Del.(EMPD), Mar. 1998,pp.683-688
    [4]J. Swingler and J. W. McBride. "Micro-arcing and arc erosion minimisation using a 42 volt DC hybrid?switching devices. "in Proc. 50th IEEE Holm Conf Elect. Contacts 22nd Int. Conf Elect. Contacts. Sep.2004.pp. 1-7.
    [5] C. Meyer, K. Maurice. and R. W. De Doncker, "Circuit breaker concepts for future high-power DC_applications. "in Proc. 40th IAS Annu. Meeting Conf. Rec. Ind. Appl. Conf., Oct. 2005,pp. 860-866.
    [6]S. Greitzke. ?Untersuchung an Hybridschaltern. Braunschweig, Germany:?Braunschweig Univ. Technol. .1988.
    [7]M. Grader, "Dimensioning of switches made up of a?series and parallel connection of numerous low-cur-rent contacts. "?in Proc. ICEC. 2006. pp. 1?-6.
    [8]A.?Rocks,"Einsatz von Metalloxid-Varistoren zum Uberspannungss -chutz pulsumrichtergespeister Dreh-feldmaschinen. "Ph. D. dissertation. Dept. Elektrotechnik Informationstechnik. Technische Univ. Darms-tadt. Darmstadt. Germany, 2009.
    [9]A. Wintrich. U. Nicolai. W. Tursky, and T. Reimann. Applikationshandbuch Leistungshalbleiter. Il-menau. Germany: ISLE Verlag, 2010.
    [10]J. Lutz, Halbleiter-Leistungsbauelemente. Chemnitz. Germany: Springer-Verlag, 2012.
    [11]1. Balogh. Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Driver Circuits. accessed on Oct. 11.2014.[online].Available:http://www.ti.com/lit/ml/slupl69/slup169.pdf

     

    牛帅  译
    张万荣  校

            (厦门明翰电气股份有限公司声明:本网转载自合作媒体或其它网站的信息,登载此文出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其描述。如因作品内容、版权和其它问题请及时与本网联系。)